經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)記者 鄭晨燁

一款按照技術(shù)迭代規(guī)律本應(yīng)逐步淡出主流市場(chǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品——DDR4內(nèi)存（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存），近期卻在存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)呈現(xiàn)出反常的價(jià)格走勢(shì)。

7月11日，經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)記者以采購(gòu)商身份在深圳華強(qiáng)北電子市場(chǎng)走訪時(shí)，注意到了一種矛盾現(xiàn)象：一方面，前來(lái)為工控、安防等特定訂單詢價(jià)DDR4內(nèi)存條的需求仍然存在；另一方面，多數(shù)柜臺(tái)仍向記者推薦新一代的DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，系DDR4的換代產(chǎn)品）相關(guān)產(chǎn)品，但商家對(duì)DDR4的報(bào)價(jià)普遍謹(jǐn)慎，并頻繁以“沒(méi)現(xiàn)貨”“價(jià)格一天一變”為由婉拒需求。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)閃存市場(chǎng)（CFM）7月8日發(fā)布的數(shù)據(jù)，DDR4 16Gb eTT顆粒的價(jià)格已調(diào)漲至4.50美元，甚至超過(guò)了同日DDR5 16Gb eTT顆粒4.00美元的報(bào)價(jià)。所謂內(nèi)存顆粒，指從一整塊硅晶圓上切割、封裝好的獨(dú)立芯片，是組裝成內(nèi)存條前的核心半成品；eTT顆粒則特指其中未經(jīng)過(guò)原廠完整、嚴(yán)格測(cè)試的顆粒，主要在渠道現(xiàn)貨市場(chǎng)流通。

上一代產(chǎn)品的價(jià)格反超新一代產(chǎn)品，存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)了罕見(jiàn)的“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。

對(duì)于產(chǎn)生這種異常現(xiàn)象的深層原因，TrendForce集邦咨詢分析師許家源在接受經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)記者采訪時(shí)表示，當(dāng)前三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）正處在制程轉(zhuǎn)換期，并且“產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM（服務(wù)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）及HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），導(dǎo)致PC DRAM及mobile DRAM的位元產(chǎn)出受限”。

他認(rèn)為，供給端因HBM而收縮，需求端又未同步下降，這種“供需錯(cuò)配”是DDR4此輪漲價(jià)行情的直接原因。

多位受訪者告訴記者，DDR4作為上一代產(chǎn)品，之所以價(jià)格不降反升，甚至超過(guò)了新一代產(chǎn)品，其根本邏輯在于，上游原廠為聚焦高利潤(rùn)的HBM而主動(dòng)削減DDR4供給，造成了供給端的短缺；但在下游市場(chǎng)中，部分特定行業(yè)（如工控、安防）因其產(chǎn)品周期和認(rèn)證成本，對(duì)DDR4仍存在無(wú)法替代的“剛性需求”。

此外，閃存市場(chǎng)分析師楊伊婷亦向記者表示，DDR4產(chǎn)品之所以出現(xiàn)供應(yīng)緊俏的情況，是因?yàn)椤敖谠瓘S相繼發(fā)布了DDR4 EOL（生命周期結(jié)束）通知”，但服務(wù)器和PC等終端對(duì)DDR4產(chǎn)品仍有一定長(zhǎng)尾需求，下游在緊急建立DDR4庫(kù)存。

當(dāng)持續(xù)的“剛需”遭遇急劇收縮的“供給”，便最終催生了這場(chǎng)反常識(shí)的“價(jià)格倒掛”。

根據(jù)公開(kāi)信息，自今年二季度起，三星、SK海力士已陸續(xù)向其客戶發(fā)出部分DDR4產(chǎn)品的EOL（End-of-Life，產(chǎn)品生命周期結(jié)束）通知，而美光科技（Micron）高管亦在6月的公開(kāi)活動(dòng)中確認(rèn)了針對(duì)PC及服務(wù)器用DDR4的停產(chǎn)計(jì)劃。而這三家公司，占據(jù)了全球DRAM市場(chǎng)超過(guò)95%的供應(yīng)份額。

原廠此舉的商業(yè)邏輯十分清晰：將寶貴的晶圓產(chǎn)能與研發(fā)資源，優(yōu)先投入到以HBM為代表的、面向AI服務(wù)器的高附加值產(chǎn)品中。財(cái)報(bào)信息顯示，SK海力士在其2025年第一季度實(shí)現(xiàn)了高達(dá)42%的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率，并預(yù)計(jì)HBM銷售額在2025年將占其總內(nèi)存銷售額的50%以上。

這場(chǎng)自上而下的產(chǎn)能切換，迅速將壓力傳導(dǎo)至產(chǎn)業(yè)鏈中下游。

“打個(gè)比方，（DDR4）你今天問(wèn)我4塊錢，過(guò)幾天可能就4塊5了，越問(wèn)越貴?！?月10日，深圳一家存儲(chǔ)模組廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人向記者如是表示。

另外，閃存市場(chǎng)在其最新報(bào)告中亦指出，服務(wù)器等企業(yè)級(jí)客戶對(duì)高價(jià)DDR4已產(chǎn)生強(qiáng)烈的“抵觸心理”，除零星急單外，客戶普遍拒絕“高位接盤”，消費(fèi)類市場(chǎng)則因此被迫加速向DDR5平臺(tái)遷移。

那么，在市場(chǎng)表象之下，HBM的產(chǎn)能需求究竟如何引發(fā)了這場(chǎng)波及整個(gè)傳統(tǒng)存儲(chǔ)供應(yīng)鏈的“蝴蝶效應(yīng)”呢？

“最后通牒”

DDR，全稱為“雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，是決定電腦、服務(wù)器等電子設(shè)備運(yùn)行速度與多任務(wù)處理能力的關(guān)鍵核心組件之一。作為其第四代產(chǎn)品，DDR4自2014年問(wèn)世以來(lái)，在長(zhǎng)達(dá)十年的時(shí)間里，一直扮演著市場(chǎng)絕對(duì)主流的角色，是支撐上一代PC與服務(wù)器運(yùn)算體系的基石。

從產(chǎn)品歸屬上看，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一個(gè)大的技術(shù)品類，而市場(chǎng)通常所說(shuō)的DDR4、DDR5，是DRAM技術(shù)在PC和服務(wù)器領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的主流迭代產(chǎn)品；HBM（高帶寬內(nèi)存）則是DRAM技術(shù)為了滿足AI服務(wù)器等高性能計(jì)算場(chǎng)景，而衍生出的一種特殊的高價(jià)產(chǎn)品。

按照半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)演進(jìn)規(guī)律，新一代產(chǎn)品DDR5的出現(xiàn)，本應(yīng)依循慣例對(duì)DDR4形成替代，因?yàn)橄噍^于DDR4，DDR5在傳輸速率、帶寬、單顆芯片容量及功耗控制上均有顯著提升，能夠更好地滿足新一代CPU及AI應(yīng)用對(duì)海量數(shù)據(jù)吞吐的需求。

因此，從2023年開(kāi)始，整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)便已進(jìn)入從DDR4到DDR5的代際轉(zhuǎn)換周期。然而，這場(chǎng)本應(yīng)平穩(wěn)的代際轉(zhuǎn)換過(guò)程，在2025年二季度之后，逐漸走向了失序。

“DRAM的漲價(jià)很猛，尤其部分型號(hào)的DDR3、DDR4漲幅接近100%了?！鼻笆錾钲谝患掖鎯?chǔ)廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人向記者直言。閃存市場(chǎng)7月8日發(fā)布的研究報(bào)告亦稱，近期部分供應(yīng)商對(duì)DDR4 eTT顆粒的官價(jià)進(jìn)行了“暴力拉漲，漲幅接近五成”。

市場(chǎng)的瘋狂最終體現(xiàn)在服務(wù)器內(nèi)存這一關(guān)鍵產(chǎn)品上，閃存市場(chǎng)方面指出，服務(wù)器用的DDR4 RDIMM（帶寄存器的雙列直插式內(nèi)存模組，是服務(wù)器內(nèi)存的常用規(guī)格）內(nèi)存條現(xiàn)貨價(jià)格，在經(jīng)歷連續(xù)快速拉漲之后，已較今年一季度低點(diǎn)呈現(xiàn)翻倍式增長(zhǎng)。一位華強(qiáng)北的檔口老板在7月上旬的走訪中告訴記者，目前市場(chǎng)中“炒貨行為居多且價(jià)格虛高”，進(jìn)一步加劇了價(jià)格的混亂。

要理解這場(chǎng)價(jià)格風(fēng)波的傳導(dǎo)機(jī)制，首先需要厘清存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)。

這條產(chǎn)業(yè)鏈大致可以分為三個(gè)環(huán)節(jié)：上游，是技術(shù)與資本壁壘最高的晶圓原廠（IDM），如三星、SK海力士和美光這三大巨頭，它們掌控著從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試的全過(guò)程，并直接生產(chǎn)出最核心的原材料——內(nèi)存顆粒；中游，則是數(shù)量眾多的存儲(chǔ)模組廠商和渠道商，它們向上游采購(gòu)內(nèi)存顆粒，再結(jié)合自研或第三方的主控芯片與固件算法，將其設(shè)計(jì)、組裝成消費(fèi)者和企業(yè)能直接使用的最終產(chǎn)品，比如，國(guó)內(nèi)A股市場(chǎng)上的江波龍（301308.SZ）、佰維存儲(chǔ)（688525.SH）、德明利（001309.SZ）以及朗科科技（300042.SZ）等均是這一環(huán)節(jié)的代表性企業(yè)；下游，則連接著廣大的終端應(yīng)用市場(chǎng)，包括PC、服務(wù)器、智能手機(jī)等品牌制造商，以及最終在零售渠道購(gòu)買產(chǎn)品的普通消費(fèi)者。

因此，對(duì)于身處產(chǎn)業(yè)鏈中下游的模組廠商和渠道商而言，上游原廠的每一個(gè)動(dòng)作都牽動(dòng)著他們的神經(jīng)。

閃存市場(chǎng)分析師楊伊婷告訴經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)記者：“近期原廠相繼發(fā)布了DDR4 EOL（生命周期結(jié)束）通知，考慮到服務(wù)器和PC等終端對(duì)DDR4產(chǎn)品仍有一定長(zhǎng)尾需求，下游緊急建立DDR4庫(kù)存，令近期DDR4產(chǎn)品出現(xiàn)供應(yīng)緊俏的情況?！?/p>

在采訪中，記者還了解到，所謂EOL通知，是半導(dǎo)體行業(yè)中一份具有“最后通牒”意味的官方文書(shū)，它意味著上游原廠將正式停止該型號(hào)產(chǎn)品的接單和生產(chǎn)，并給出一個(gè)“最終采購(gòu)（Last Time Buy）”的截止日期。

對(duì)于下游客戶而言，這無(wú)異于一道選擇題：要么精準(zhǔn)預(yù)估未來(lái)數(shù)年的產(chǎn)品需求，投入巨額資金進(jìn)行一次性的戰(zhàn)略備貨；要么，立刻投入同樣高昂的研發(fā)成本和時(shí)間成本，對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行硬件重新設(shè)計(jì)，以適配新一代的元器件。

無(wú)論是哪種選擇，都充滿了風(fēng)險(xiǎn)與不確定性。上述深圳一家存儲(chǔ)廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人就向記者表示：“部分原廠正是通過(guò)控制晶圓原材料的供應(yīng)節(jié)奏和價(jià)格，對(duì)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)產(chǎn)生了顯著影響?！?/p>

許家源也給出了相同的判斷，即原廠的EOL時(shí)程規(guī)劃，推動(dòng)了模組廠積極備貨DDR4顆粒。

作為產(chǎn)業(yè)核心玩家之一，存儲(chǔ)模組龍頭江波龍亦在其近期發(fā)布的一份投資者交流紀(jì)要中指出：“近期受存儲(chǔ)晶圓原廠決定戰(zhàn)略性部分退出DDR4業(yè)務(wù)的影響，部分DDR4價(jià)格在短期內(nèi)明顯上揚(yáng)。”

于是，恐慌性的備貨潮，疊加部分炒家的囤積居奇，迅速抽干了市場(chǎng)的流動(dòng)性，并最終導(dǎo)致了“有價(jià)無(wú)市”的僵局。

在7月上旬于華強(qiáng)北走訪過(guò)程中，記者了解到，自6月以來(lái)，渠道DDR4價(jià)格在連續(xù)上漲后，市場(chǎng)開(kāi)始有所降溫，個(gè)別產(chǎn)品因前期漲幅過(guò)大，買賣雙方陷入持續(xù)的拉鋸和僵持階段，出現(xiàn)了成交乏力的情況。

但事實(shí)上，在二季度價(jià)格反轉(zhuǎn)之前，整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)剛剛經(jīng)歷了一輪殘酷的下行周期。

根據(jù)佰維存儲(chǔ)在其一季報(bào)中的描述，存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格在2025年第一季度達(dá)到了“階段性低點(diǎn)”。這種市場(chǎng)低谷也直接反映在了產(chǎn)業(yè)鏈中游廠商的業(yè)績(jī)上，根據(jù)公開(kāi)財(cái)報(bào)，佰維存儲(chǔ)當(dāng)季凈虧損達(dá)1.97億元，而另一家存儲(chǔ)模組龍頭江波龍同期亦出現(xiàn)1.52億元的凈虧損。

前述存儲(chǔ)廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人告訴記者，盡管DDR5是未來(lái)趨勢(shì)，但在工業(yè)控制、安防監(jiān)控、電視機(jī)頂盒等對(duì)性能要求不高、但對(duì)穩(wěn)定性和兼容性要求極高的利基市場(chǎng)，DDR4仍是更具性價(jià)比的選擇。此外，記者亦了解到，部分仍在服役的英特爾舊款CPU平臺(tái)僅支持DDR4，也構(gòu)成了其需求的底層支撐，正是這部分剛性需求，為市場(chǎng)的詢價(jià)提供了熱度基礎(chǔ)。

這種需求的“剛性”，根植于利基市場(chǎng)本身的產(chǎn)品特性：與快速迭代的消費(fèi)電子不同，一套工業(yè)控制系統(tǒng)、一個(gè)車載娛樂(lè)模塊或是一個(gè)安防攝像頭主板，其生命周期往往長(zhǎng)達(dá)5至10年。在此期間，任何核心元器件的微小改動(dòng)，都可能意味著整個(gè)硬件方案的重新設(shè)計(jì)、軟件的重新適配，以及一整套漫長(zhǎng)且昂貴的行業(yè)認(rèn)證流程，因此，對(duì)于這些領(lǐng)域的制造商而言，在產(chǎn)品生命周期內(nèi)維持供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，其重要性遠(yuǎn)高于追逐最新的技術(shù)參數(shù)，一次性地高價(jià)備貨舊款DDR4，其綜合成本，往往仍低于更換平臺(tái)、重新認(rèn)證的隱性成本。

閃存市場(chǎng)方面亦指出，高昂的DDR4 RDIMM價(jià)格已經(jīng)使得服務(wù)器終端客戶“抵觸心理日漸強(qiáng)烈”，除了無(wú)法避免的“零星急單”外，大客戶們普遍不愿在這個(gè)時(shí)點(diǎn)“高位接盤”。

而在對(duì)價(jià)格更為敏感的消費(fèi)類市場(chǎng)，大部分終端客戶則選擇了“松手”并轉(zhuǎn)換賽道。對(duì)此，閃存市場(chǎng)分析稱，DDR4與DDR5之間日益縮小的價(jià)差乃至“倒掛”，正在“倒逼”PC市場(chǎng)的渠道客戶“從DDR4升級(jí)至DDR5”。一位華強(qiáng)北的商家也向記者表示，在DDR4現(xiàn)貨短缺的情況下，會(huì)主動(dòng)推薦客戶轉(zhuǎn)向供應(yīng)更穩(wěn)定、價(jià)格差距不大的DDR5產(chǎn)品。

至此，一幅復(fù)雜的市場(chǎng)圖景得以呈現(xiàn)：上游暴力拉漲，中游恐慌搶貨，下游則在剛需、抵觸與被迫轉(zhuǎn)向之間分化。而這一切看似混亂的市場(chǎng)行為，最終都指向了同一個(gè)源頭——HBM。

“虹吸效應(yīng)”

深圳華強(qiáng)北的柜臺(tái)上，DDR4的報(bào)價(jià)單日日更新，而在千里之外的韓國(guó)與美國(guó)，全球三大存儲(chǔ)原廠的業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，這個(gè)曾經(jīng)的利潤(rùn)支柱，卻幾乎沒(méi)有被提及，所有人的目光，都聚焦在了一個(gè)新的名字上。

比如，美光科技（Micron）總裁兼CEO桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）在該公司2025財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)報(bào)告中，將公司創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收表現(xiàn)，直接歸因于對(duì)“人工智能驅(qū)動(dòng)下日益增長(zhǎng)的內(nèi)存需求”的滿足。他所說(shuō)的“內(nèi)存需求”，其核心正是HBM。作為AI服務(wù)器中高算力GPU芯片不可或缺的“左膀右臂”，HBM已成為當(dāng)前這場(chǎng)AI浪潮中最確定的增量市場(chǎng)之一。

事實(shí)上，存儲(chǔ)巨頭們對(duì)HBM的戰(zhàn)略傾斜，已經(jīng)體現(xiàn)在了實(shí)實(shí)在在的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)和經(jīng)營(yíng)目標(biāo)上。美光的財(cái)報(bào)顯示，其2025財(cái)年第三季度實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收，其中“HBM營(yíng)收實(shí)現(xiàn)了近50%的環(huán)比增長(zhǎng)”；SK海力士則在其2025年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明中，維持了其2025年HBM需求“同比增長(zhǎng)2倍”的展望，并已在今年3月向客戶交付了“全球首批HBM4 12Hi樣品”，以彰顯其技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力；三星電子同樣在其2025年一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明中，將“擴(kuò)大增強(qiáng)型HBM3E 12H產(chǎn)品的銷售”列為核心目標(biāo) 。

許家源告訴記者，正是這種超高的市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)期，才使得原廠做出“產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM”的決策。當(dāng)然，對(duì)HBM的資源聚焦，也直接導(dǎo)致了對(duì)傳統(tǒng)產(chǎn)品線產(chǎn)能的“計(jì)劃性”壓縮，這是一項(xiàng)貫穿原廠所有產(chǎn)品線的全局性戰(zhàn)略。

根據(jù)閃存市場(chǎng)7月2日發(fā)布的存儲(chǔ)市場(chǎng)展望報(bào)告，DRAM方面，LPDDR4X在手機(jī)中的需求占比仍然較大，在原廠產(chǎn)線切換后，預(yù)計(jì)手機(jī)LPDDR4X整體存在約15%～20%的供應(yīng)缺口，尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供應(yīng)十分有限，將推動(dòng)三季度LPDDR4X合約出現(xiàn)20%以上的環(huán)比漲幅，并且逼近LPDDR5X的ASP（Average Selling Price，平均銷售價(jià)格）。

眼下，無(wú)論是PC用的DDR4，還是手機(jī)用的LPDDR4X，這些上一代的、利潤(rùn)空間相對(duì)微薄的產(chǎn)品，都在為HBM和DDR5“讓路”。但存儲(chǔ)原廠的晶圓產(chǎn)能并非可以無(wú)限擴(kuò)張，一座先進(jìn)的晶圓廠投資動(dòng)輒百億美元，其總產(chǎn)能在一個(gè)時(shí)期內(nèi)是相對(duì)固定的，而在有限的總產(chǎn)能下，生產(chǎn)決策就成了一道關(guān)于成本的數(shù)學(xué)題。

更重要的是，與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM的制造工藝更為復(fù)雜，不僅需要占用更多的晶圓面積，還需要額外的硅通孔（TSV）和先進(jìn)封裝工藝，這意味著生產(chǎn)一片HBM晶圓所要消耗的綜合產(chǎn)能和資源，遠(yuǎn)高于一片同尺寸的DDR4晶圓。

在這道數(shù)學(xué)題面前，當(dāng)HBM能帶來(lái)數(shù)倍的利潤(rùn)時(shí)，技術(shù)成熟、利潤(rùn)空間早已被嚴(yán)重壓縮的DDR4，便成了那個(gè)最先從產(chǎn)能規(guī)劃中被“優(yōu)化”掉的選項(xiàng)。但另一方面，存儲(chǔ)三巨頭的此次戰(zhàn)略上的調(diào)整，在為自身開(kāi)創(chuàng)HBM高利潤(rùn)時(shí)代的同時(shí)，也客觀上在DDR4等傳統(tǒng)市場(chǎng)留下了一個(gè)巨大的、有待填補(bǔ)的真空。

“國(guó)際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，客觀上為本土廠商提供了寶貴的市場(chǎng)空間和客戶導(dǎo)入機(jī)會(huì)?！鼻笆錾钲诖鎯?chǔ)廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人向記者表示。

在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，江波龍?jiān)诮瞻l(fā)布的投資者交流紀(jì)要中亦稱，隨著AI應(yīng)用的不斷加速，客戶基于“本地化、信息安全和供應(yīng)安全等因素，也將會(huì)考慮更多地采用國(guó)產(chǎn)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品”。該公司已具備“eSSD+RDIMM”（即企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤與服務(wù)器內(nèi)存條，均為數(shù)據(jù)中心的核心存儲(chǔ)部件）的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與規(guī)模供應(yīng)能力，并正積極推進(jìn)TCM（技術(shù)合約制造）模式，以“部分地降低價(jià)格波動(dòng)產(chǎn)生的影響”。

佰維存儲(chǔ)則在其近日披露的投資者交流紀(jì)要中表示，公司正依托“研發(fā)封測(cè)一體化”的布局，在AI手機(jī)、AI PC、AI眼鏡等新興AI端側(cè)領(lǐng)域獲得先發(fā)優(yōu)勢(shì)，其ePOP（一種將閃存與內(nèi)存芯片集成封裝的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)，因其小尺寸、低功耗，并可通過(guò)堆疊節(jié)省大量?jī)?nèi)部空間，被廣泛應(yīng)用于智能手表、AI眼鏡等小型智能設(shè)備）系列產(chǎn)品已進(jìn)入Google、Meta、小米等知名企業(yè)的供應(yīng)鏈體系。

“目前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)晶圓廠、存儲(chǔ)模組廠、存儲(chǔ)控制芯片廠、封測(cè)廠正通力合作，營(yíng)造存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)，形成產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。”德明利在其5月份舉辦的業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上也表示，隨著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的逐步發(fā)展和完善，“國(guó)內(nèi)下游存儲(chǔ)模組及控制芯片廠商迎來(lái)重要發(fā)展機(jī)遇”。

眼下，對(duì)于中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈而言，三大原廠的“HBM產(chǎn)能大遷徙”，或許不僅僅是一次市場(chǎng)重構(gòu)，也為已具備技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)準(zhǔn)備的本土廠商提供了難得的機(jī)遇。但前述深圳存儲(chǔ)廠商的市場(chǎng)負(fù)責(zé)人在接受記者采訪時(shí)也坦言，盡管國(guó)際大廠的退出讓出了市場(chǎng)空間，但本土廠商依然面臨許多現(xiàn)實(shí)上的挑戰(zhàn)。比如，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際巨頭在HBM以及最先進(jìn)的DRAM制程等高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域，“仍存在一定差距，研發(fā)和生產(chǎn)能力還需要進(jìn)一步提升”。

與此同時(shí)，一位長(zhǎng)期關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的分析師也向記者表示，供應(yīng)鏈的自主可控能力，特別是上游關(guān)鍵的制造設(shè)備、核心材料等，仍是制約部分本土企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。因此，能否在抓住DDR4這一輪結(jié)構(gòu)性市場(chǎng)機(jī)遇的同時(shí)，補(bǔ)上在HBM等下一代技術(shù)上的核心短板，將是中國(guó)存儲(chǔ)廠商在這場(chǎng)由AI帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)重構(gòu)中，亟待回答的考題。

（作者 鄭晨燁）